EUV抢到2028，手机被迫吃二手料

内存市场的紧张，已经从『缺货』升级成了『抢设备』。

三星电子与SK海力士正围绕极紫外（EUV）光刻机的交付排期展开正面对抗，双方各自投入10万亿至20万亿韩元（约526亿至1053亿元人民币），只为锁定ASML在2027至2028年的稀缺产能。与此同时，涨价压力已经传导到终端——1299元以下的入门手机开始用上拆机回收的内存颗粒，而英伟达干脆把主意打到了代工厂台积电头上。这场存储超级周期，比绝大多数人的预判都来得更猛、更深。

📈 提前两年的军备竞赛

当产能要提前两年下单，竞争的焦点就从『造得多』变成了『排得早』。

这场争夺战的核心标的是ASML的EUV光刻机。消息人士透露，三星电子与SK海力士的投入规模均介于10万亿至20万亿韩元之间，目标直指2027至2028年的稀缺交付窗口——这不是普通的设备采购，而是提前两年给自家先进DRAM与HBM扩产卡位。

供给端的紧张程度，ASML自己在第三季财报会议上说得最直白：即便2027年EUV产能提升30%、2028年再扩产30%，仍无法满足客户需求。今年EUV出货量约65台，较去年的44台增长近50%，但核心设备交付周期已被拉长至原来的两倍，涨价效应预计2027年浮现、后年充分显现。最能说明问题的一个数字是：今年Q3，存储器客户占ASML整机销售的比重已达46%——存储厂成了光刻机最大的金主。

产业逻辑很清晰：AI数据中心对存储的需求是指数级的，而EUV光刻机是先进DRAM唯一的入场券。谁拿到2027至2028年的机台排期，谁就掌握了下一个周期的话语权。据多位接近产业链的人士说法，设备商的排期谈判现在已经是按季度精确到台的博弈，而不是按年谈框架。

⚔️ 三星与海力士：同一场仗，两条路线

同样是抢EUV，两家韩系巨头的打法几乎是镜像的。

SK海力士的动作更早。今年3月，其已表示采购约11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限订在2027年底。背后的技术驱动是1c制程——10纳米级第六代DRAM——随着制程微缩，EUV应用层数从过去的3层增加到5层以上，单条产线所需的设备数量同步攀升。集邦咨询（TrendForce）点破了要害：制程越先进，曝光工时与机台数量越成为产能爬坡的关键制约。

三星电子则配合平泽P5产线的节奏下单。该厂隶属五年450万亿韩元的本土投资方案，单座晶圆厂投资逾60万亿韩元，目标2028年投产；一期无尘室预计明年上半年完工，光刻设备将陆续进场。更激进的一步棋是：三星规划2028年导入High-NA EUV，抢占先进DRAM的量产窗口——这意味着它要把下一代光刻技术直接押在存储上。

把几家玩家的路线放进一张定位图，格局一目了然：

海力士胜在节奏与确定性——1c制程的EUV层数翻倍是当下就能兑现的产能红利；三星赌的是High-NA带来的下一代制程代差；而常规扩产的美光、以及完全不上桌的拆机料玩家，则分别站在『跟随』与『存量』的位置。技术门槛越高、离AI价值链越近，商业弹性越大，这是本轮周期最硬的定价逻辑。

📱 涨价传到手里：手机开始吃二手颗粒

当产业链最上游在抢2028年的设备，产业链最下游已经开始用2020年的内存。

据集邦咨询报告，手机内存持续涨价之下，部分品牌开始在入门和低端机型上更多采用拆机内存——也就是从旧机上回收的颗粒——用价格较低的回收料控制整机成本。目前流通的拆机内存以4GB LPDDR4X为主，主要用于售价1299元以下的4G手机。这个价位的用户对价格高度敏感，品牌只能靠压缩零部件成本来守住终端售价。

集邦预计，2027年第一季度DRAM价格涨幅还会扩大，手机厂商的成本压力将进一步加重，届时降低配置、采用拆机内存的做法可能向更高价位机型延伸。业内预计明年拆机内存手机占比或达7%至9%——听起来比例不高，但它是一个标志性信号：新机上用旧料，说明正规渠道的新颗粒已经贵到连最便宜的产品线都扛不住了。

不过要泼一盆冷水：拆机料的占比上升，并不意味着它能缓解整个内存市场的供应压力。这些机型集中在低端、容量小，对全年手机内存总容量的影响有限，难以改变DRAM合约价的上涨走势。换句话说，二手料救得了某一款1299元手机的BOM成本，救不了整个行业的供需表。

而且省下来的是采购成本，付出的是另一笔账。集邦明确指出，拆机料来源复杂，质量一致性存在更大不确定性，可能影响手机的可靠性和使用寿命；一旦出问题，保修、维修等额外支出和品牌信誉受损的风险都会落到厂商头上。用二手颗粒换三个月的毛利，值不值，每家品牌都得自己算。

🧊 意外变量：台积电被拉进DRAM战局

客户缺货缺到什么程度，代工厂的边界就会退到什么程度。

据快科技获悉，台积电正在考虑生产3D DRAM内存芯片，推动这项计划的是其最大客户英伟达。AI服务器对内存的需求持续增加，供应紧张推高价格，英伟达在寻找更多供货来源——这次找上的不仅是内存厂商，还有长期为它代工逻辑芯片的台积电。

背景是残酷的：全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光主导，三家公司都在扩产，但新厂从建设到投产需要时间，新增供应未必跟得上需求增长。台积电考虑的3D DRAM，是把存储单元从平面排列改成向上堆叠，在有限芯片面积内放入更多存储单元，提高容量密度——这与HBM把多颗DRAM芯片堆叠封装的做法不同，它改变的是存储单元本身的排列结构，而不是把现有芯片叠起来。

据知情人士透露，台积电负责先进封装业务的副总裁将牵头该计划，其团队已有芯片三维堆叠经验，涉及CoWoS等先进封装技术。工厂层面有两条路径在评估：一是建设新的先进内存工厂，二是收购现有厂房改造成内存生产设施——后者有望显著缩短从建设到投产的准备时间。目前生产时间表尚未披露，台积电和英伟达也未回应置评请求。

产业判断层面，这件事的信号意义大于产能意义：如果连代工厂都要下场做存储，说明现有三巨头的供给弹性已经无法满足AI的需求曲线。一旦台积电真进入DRAM生产，它将与三星、海力士、美光在先进内存领域正面竞争——存储行业维持多年的寡头格局，可能第一次出现第四极的可能。

💡 紧缺蔓延：后道也开始排队了

前道的瓶颈还没解开，后道的队已经排到了三年后。

本轮设备紧缺一个容易被忽视的特征是：它正在从前道延伸至后道。韩美半导体、安靠（Amkor）等先进封装厂的订单能见度已排满两至三年，热压键合机（TC Bonder）等HBM关键制程设备需求持续走扬。业内人士判断，AI数据中心芯片不仅比拼前段制程，后端多维堆叠与互连的价值也在同步提升，前后段的景气绑定正在加深。

把本轮周期的关键数字集中看一遍，紧迫感会更直观：

这组数字拼出的是一条完整的传导链：AI服务器拉动HBM，HBM拉动先进DRAM，先进DRAM拉动EUV与后道封装设备，设备紧缺再反推价格上涨，最后落到1299元以下的手机上。没有哪个环节能独善其身。

小结： 本轮存储周期的本质，不是简单的供需错配，而是一场由AI重新定价的产能军备竞赛。三星与海力士提前两年抢EUV、台积电被客户推动筹划3D DRAM、低端手机用上二手颗粒——三个看似不相关的事件，其实是同一条传导链的上、中、下游。往后看，2027年Q1的涨价扩大、2028年P5投产与High-NA导入，是检验这场竞赛成色的三个关键时点。在此之前，『稀缺』仍将是最值钱的两个字。