供应链🔥9.0
光刻大战开打！三星海力士重金争夺EUV产能 加码先进DRAM扩产
📋总体概括
三星电子与SK海力士正围绕ASML的EUV光刻机交付排期展开激烈争夺，双方各投入10万亿至20万亿韩元（约526亿至1053亿元人民币），锁定2027至2028年的稀缺产能，为先进DRAM和HBM扩产卡位。ASML已警示即便未来两年EUV产能各提升30%仍供不应求，今年出货约65台同比增近50%，交付周期翻倍。SK海力士采购约11.95万亿韩元EUV设备，三星则配合平泽P5产线推进，并计划2028年导入High-NA EUV。设备紧缺已从晶圆制造前道蔓延至先进封装后道。
⚡关键信息
- ▸三星与SK海力士各投入10万亿至20万亿韩元（约526亿至1053亿元人民币）争夺ASML的2027至2028年EUV产能。
- ▸ASML示警：即便2027年EUV产能提升30%、2028年再扩30%，仍无法满足客户需求，今年出货约65台、同比增近50%，交付周期拉长至两倍。
- ▸SK海力士今年3月宣布采购约11.95万亿韩元EUV设备，2027年底交付；1c制程DRAM使EUV应用层数从3层增至5层以上。
- ▸三星平泽P5厂单座投资逾60万亿韩元，目标2028年投产，并规划同年导入High-NA EUV抢占先进DRAM量产窗口。
- ▸紧缺蔓延至后道：韩美半导体、安靠等先进封装厂订单排满两至三年，TC Bonder等HBM关键设备需求走扬。
🔥犀利点评
存储巨头抢的不是光刻机，是AI时代的话语权。EUV层数从3层涨到5层、High-NA提前锁单，说明先进DRAM的军备竞赛已无回头路。ASML产能再扩30%都不够，本质是HBM需求的爆发让所有扩产计划都显得保守。真正值得警惕的是后道封装设备排期两三年——堆叠互连才是HBM的胜负手，前道风光、后道卡脖子的格局正在形成。
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