SK hynix pushes hybrid bonding HBM5 as AI memory hits 775-micron ceiling — firm extends MR-MUF through Nvidia Rubin

📋总体概括

SK海力士宣布推进HBM5采用混合键合(hybrid bonding)技术，因HBM堆叠总厚度触及775微米上限——即300mm逻辑晶圆的标准厚度，现有封装手段已到极限。公司同时宣布将MR-MUF封装工艺延续应用于英伟达下一代Rubin平台的HBM供应。这意味着AI内存竞争焦点正从堆叠层数转向键合工艺，SK海力士试图在HBM4E到HBM5过渡期继续对三星、美光保持封装技术代差优势。