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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储
📋总体概括
北方华创在IEEE期刊发表成果，针对硅/硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构，开发出两步循环刻蚀工艺：先以无偏置氟自由基定点刻蚀硅锗层，再引入反应气体清除底部副产物，解决了高深宽比横向选择性刻蚀导致硅骨架受损的行业难题，实现超500:1的刻蚀选择比。这一突破有望帮助长鑫存储在EUV光刻机被封锁的情况下，通过3D垂直堆叠路线推进先进存储自主量产，为国产存储芯片绕开光刻壁垒提供设备工艺基础。
⚡关键信息
- ▸北方华创在IEEE期刊发文，宣布3D DRAM刻蚀工艺重大突破
- ▸针对64层硅/硅锗交替堆叠结构，开发两步循环刻蚀技术，分「刻」与「清」两阶段迭代
- ▸第一阶段用无偏置电中性氟自由基定点刻蚀硅锗层，第二阶段引入反应气体清理副产物保证纵深穿透
- ▸工艺实现超过500:1的硅锗刻蚀选择比，解决高深宽比横向刻蚀易损伤硅骨架的难题
- ▸3D DRAM通过垂直堆叠晶体管提升密度，可绕开EUV封锁，有望助力长鑫存储自主量产
🔥犀利点评
这份成绩单含金量不低——高深宽比横向选择性刻蚀是全球性难题，500:1的选择比说明北方华创不是蹭概念，而是真刀真枪解决了量产级工艺痛点。3D DRAM本是三星、长存都在抢的下一代路线，中国若能借刻蚀端优势换道超车，等于用设备和工艺创新对冲光刻短板，这步棋比单纯死磕EUV务实得多。但论文到量产隔着良率鸿沟，64层只是起点，别急着开香槟。
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