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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储
📋总体概括
快科技9月5日消息， 国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3D DRAM自主量产。 3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。 在西方
⚡关键信息
- ▸快科技9月5日消息， 国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技
- ▸3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶
- ▸在西方对华EUV光刻机出口管制持续收紧的背景下，这一技术路线为中国存储芯片产业开辟了一条避开光刻壁垒的新路径。
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