供应链🔥8.0
英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆
📋总体概括
英飞凌宣布在奥地利Villach晶圆厂，利用现有硅制造设备率先完成300mm（12英寸）碳化硅晶圆的功率器件加工，为全球首例，验证了大尺寸SiC晶圆商业化落地的实际可行性。公司表示将与客户及合作伙伴共同规划12英寸SiC技术的量产时机，同时继续推进200mm SiC路线图；此外在德累斯顿工厂验证了冷分片技术在12英寸SiC上的可行性，可提升晶锭到晶圆的加工效率并减少损耗，为后续降本扩产铺路。
⚡关键信息
- ▸英飞凌宣布全球首个在规模化晶圆厂环境中将300mm碳化硅晶圆加工为功率半导体器件
- ▸该成果基于奥地利Villach晶圆厂现有硅半导体设备复用实现，降低产线改造门槛
- ▸英飞凌将与客户和合作方规划12英寸SiC量产时机，同步推进200mm SiC路线图
- ▸在德累斯顿工厂验证冷分片技术可用于12英寸SiC，可提升晶锭利用率、减少加工损耗
🔥犀利点评
300mm SiC与其说是技术突破，不如说是成本战争的宣战书——SiC芯片面积利用率、单位成本长期被150mm/200mm衬底卡脖子，谁先把12英寸跑通量产，谁就掌握电动车主驱、光储价格战的定价权。但别急着欢呼，从首片验证到稳定量产的良率爬坡是SiC行业最残酷的一段路，英飞凌自己都还在双线推进200mm，说明12英寸离真金白银的出货还很远。冷分片倒是被低估的实招，切割损耗直接决定SiC成本下限。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 IT之家 阅读全文 →