把内存焊在处理器头顶！美光vHBM曝光：带宽冲到2TB/s

📋总体概括

美光在技术研讨会上公布下一代AI内存路线图，核心是vHBM垂直高带宽内存：不再通过中介层并排摆放，而是用无凸块混合铜键合直接将DRAM堆叠在运算芯片上方，大幅缩短传输距离。首代目标带宽2TB/s、每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年量产，2030年前推出三代产品。但有分析师指出内存压在处理器上方会阻断散热路径，vHBM更可能与标准HBM并行使用而非全面取代。美光还同步推进面向边缘推理的vEIM内存。