把内存焊在处理器头顶！美光vHBM曝光：带宽冲到2TB/s

📋总体概括

美光在技术研讨会上公布下一代AI内存路线图，核心为vHBM垂直高带宽内存架构：不再通过中介层将DRAM与处理器并排摆放，而是用无凸块混合铜键合技术把内存直接堆叠在运算芯片上方，大幅缩短传输距离。首代vHBM设计目标带宽2TB/s，每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年量产，2030年前推出三代产品。但内存压在处理器头顶会阻挡散热路径，被指可能限制部署规模，预计将与标准HBM并行使用而非取代。美光同步推出集成式烟囱散热器，并推进面向边缘推理的vEIM内存。