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三星S28的基带芯片要上2纳米！今年这代已通过测试
📋总体概括
三星电子确定下一代通信基带芯片M2800将采用2纳米工艺制造，计划明年完成开发，用于2028年上市的Galaxy S28系列。目前Galaxy S26和S27仍使用4纳米基带，其中S27搭载的M2700在功耗、传输速度上已可对标竞品，并借助光学收缩工艺将芯片面积缩小约4%。基带升级至2纳米后，腾出的4纳米产能将转产HBM高带宽内存，体现三星对先进制程与存储业务的产能再分配。
⚡关键信息
- ▸三星M2800基带芯片改用2纳米工艺，比自家手机处理器制程还先进，明年完成开发
- ▸M2800将搭载于2028年上市的Galaxy S28系列，是三星外置基带首次跳过中间节点直上2纳米
- ▸Galaxy S26开始将基带从主处理器中拆出单独制造，首款为4纳米的Shannon 5410
- ▸M2700经过电压调整，待机与标准功耗据称可追平竞品，芯片面积通过光学收缩缩小约4%
- ▸基带升级2纳米后空出的4纳米产能将被转用于生产HBM高带宽内存
🔥犀利点评
基带比处理器先用2纳米，这个操作本身就说明三星的焦虑：Exynos竞争力疲软，只能先在通信芯片上抢制程话语权撑门面。但更值得玩味的是4纳米产能转去做HBM，存储赚钱快、需求确定，逻辑芯片产线空转才是真浪费。至于功耗能否真追平高通，三星基带喊追赶喊了好几代，等实测再说。
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