解读霍尔效应、TMR及其他新型「机械」开关

📋总体概括

Ars Technica发布深度指南，讲解键盘领域兴起的磁轴技术，包括霍尔效应（Hall-effect）与TMR（隧道磁阻）等新型「机械」开关的原理与差异。文章指出，这类开关不再依赖传统金属触片物理导通，而是通过感应磁场变化来识别按键行程与位置，由此带来可调触发点、快速触发、摇杆式模拟输入等特性，正在改变游戏键盘和电竞外设的技术路线。文章同时梳理了磁轴与传统机械轴、光学轴在手感、耐用性和成本上的取舍。