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国产半导体设备雄起！中微薄膜设备出货破500台：刻蚀之后、薄膜成第二增长极
📌 概要
<p>快科技8月27日消息，<span style="color: #ff0000;"><strong>中微公司近日宣布，其先进薄膜设备累计出货正式突破500个反应台。</strong></span></p> <p>产品涵盖低压化学气相沉积、金属薄膜沉积、介质薄膜沉积等多款核心机型，全面覆盖半导体制造主流薄膜沉积工艺需求，标志着公司高端薄膜沉积设备完成规模化商用布局。</p> <p>薄膜沉积是先进
<p>快科技8月27日消息，<span style="color: #ff0000;"><strong>中微公司近日宣布，其先进薄膜设备累计出货正式突破500个反应台。</strong></span></p>
<p>产品涵盖低压化学气相沉积、金属薄膜沉积、介质薄膜沉积等多款核心机型，全面覆盖半导体制造主流薄膜沉积工艺需求，标志着公司高端薄膜沉积设备完成规模化商用布局。</p>
<p>薄膜沉积是先进逻辑、存储、特色器件与先进封装不可或缺的核心装备。中微已构建覆盖钨薄膜、金属栅、金属硅化物的先进薄膜组合，适配先进制程严苛工艺。</p>
<p>在钨金属沉积领域，中微自研CVD-W、HAR-W与ALD-W支持存储全流程金属钨沉积，已获多家核心存储客户量产订单；并适配先进逻辑多道钨互连、特色器件，实现存储、逻辑、特色三大领域全覆盖。</p>
<p>面向先进逻辑，中微Preforma Uniflash®金属栅系列含ALD氮化钛、钛铝、氮化钽三款，完成头部逻辑客户验证，多项指标达世界先进；ALD氮化钛还可适配存储、特色器件与先进封装。</p>
<p>针对高选择比、低电阻接触层痛点，中微推出Preforma Uniflash®金属硅化物集成系统，适配逻辑源漏、背部供电与三维存储接触层，实现高质量微结构填充，填补国内高端金属硅化物设备空白。</p>
<p><strong>截至2026年6月底，中微已开发54种高端设备，累计超8800个反应台在220余条产线量产，</strong>刻蚀与薄膜精度达原子级；中微连续14年销售年均增35%以上，人均年销售额约450万元，设备覆盖超30%前道集成电路设备。</p>
<p><strong>面向未来，中微计划通过自主开发与外延并购，五年内外延覆盖60%以上集成电路高端设备与70%以上先进封装市场，向全球领先平台型设备公司迈进。</strong></p>
<p align="center"><a href="https://img1.mydrivers.com/img/20260827/af3f02db-020a-44e9-9818-cf20738e9e31.jpg" target="_blank"><img alt="国产半导体设备雄起！中微薄膜设备出货破500台：刻蚀之后、薄膜成第二增长极" src="https://img1.mydrivers.com/img/20260827/Saf3f02db-020a-44e9-9818-cf20738e9e31.jpg" style="border: black 1px solid;" /></a></p>