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摩尔定律有救了!泛林SA-CFET架构把CMOS推过1nm:SRAM面积暴缩52.7%
📋总体概括
泛林集团9月29日提出自对准互补场效应晶体管(SA-CFET)架构,有望将CMOS晶体管推进至1nm及以下节点。CFET将NMOS与PMOS垂直堆叠,替代传统并排布局,可在相同平面面积内实现更高器件密度、增加有效沟道宽度并改善静电控制。imec在制程路线图中预测2038年可实现0.3nm等级工艺,并将CFET列为突破物理极限、延续摩尔定律的核心方案,该架构在SRAM上的面积缩减可达52.7%。
⚡关键信息
- ▸泛林集团于9月29日提出SA-CFET(自对准互补场效应晶体管)架构
- ▸该架构有望将CMOS晶体管推进至1nm及以下工艺节点
- ▸CFET将NMOS和PMOS垂直堆叠,相同平面面积内实现更高器件密度
- ▸imec路线图预测2038年实现0.3nm等级工艺,CFET为核心方案
- ▸SRAM面积可缩减52.7%
🔥犀利点评
摩尔定律是不是有救,不能靠一篇架构论文下结论。CFET方向没错,imec也早把它写进路线图,但泛林这次拿出的是架构概念而非量产方案——垂直堆叠意味着热管理、层间对准、良率全是硬骨头,离产线落地至少还有几代GAA的周期。SA-CFET的『自对准』确实切中了CFET对准精度的痛点,值得肯定,但把0.3nm路线图当救命稻草宣传,多少有点提前庆祝。
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