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1nm 之后晶体管怎么走？泛林集团探索 SA-CFET 架构，SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%
📋总体概括
泛林集团（Lam Research）于9月29日提出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，目标是将CMOS晶体管推进至1nm及以下节点。该架构包含SA-BPR、SA-CT、SA-TSV三个自对准工艺模块，采用非金属栅极切割与中间介质隔离实现功函数分离，并保持与N3规范兼容。团队用SEMulator3D数字孪生建模验证，SRAM单元面积较N3缩小52.7%，为GAA纳米片之后的技术路线提供新方向。
⚡关键信息
- ▸泛林集团9月29日提出SA-CFET架构，瞄准1nm及以下节点，直指GAA纳米片在漏电、迁移率、寄生电阻方面的瓶颈
- ▸核心是三大自对准工艺模块：SA-BPR埋入式电源轨、SA-CT触点、SA-TSV硅通孔
- ▸采用非金属栅极切割和中间介质隔离（MDI）实现功函数分离，降低对套刻精度的依赖
- ▸保持与N3规范兼容：42nm接触栅极间距、21nm金属间距
- ▸基于SEMulator3D数字孪生建模，SRAM单元面积较N3缩小52.7%
🔥犀利点评
这更像设备商的一次「技术卡位」而非量产方案：泛林拿数字孪生建模而非流片数据说话，52.7%的SRAM缩放数字漂亮，但工艺窗口、良率、成本全是问号。不过方向判断没错——CFET堆叠N/P管是1nm后几乎公认的路线，自对准工艺正是设备商最擅长下注的地方。真伪待 Intel、台积电、三星的实机验证，泛林先占住话语权，这笔账不亏。
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