650V GaN器件如何在空间受限的数据中心机架中缩小占板面积

📋总体概括

EDN刊文介绍Renesas面向AI数据中心高压电源转换的650V氮化镓(GaN)功率器件。该器件采用双面散热设计，热量同时从顶部和底部散出，从而提升功率密度，在空间受限的数据中心机架内显著缩小占板面积。随着AI服务器功耗攀升，供电架构对高效紧凑功率器件的需求愈发迫切，双面散热GaN成为其关键解法。