长鑫科技：拟 241 亿元和 108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

📋总体概括

长鑫科技9月28日晚公告，拟使用超募资金投资两大新项目：一是投资241亿元建设技术研发项目，建设周期30个月，其中130亿元为超募资金；二是通过向全资子公司长鑫存储产品（合肥）增资和借款共50亿元，建设总投资108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期项目，周期37个月，为DRAM芯片提供测试和模组组装。公司表示随着产能提升，外部封测产能和配套投资不足，自建测试产能可降低测试成本、完善IDM模式、保障供应链安全。