消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND

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据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子正加速建设平泽P5晶圆厂PH1阶段的DRAM生产线，洁净室建设已于本季度启动，早于原定计划。三星要求设备导入从2027年7~8月提前至2026年5~6月，甚至希望2027年一季度就提前获取设备暂存，显示其提前投资的意愿极为强烈。同时，三星还在与合作伙伴商讨将P5 PH2阶段建成尖端NAND闪存生产线，并因设备交期大幅延长而要求供应商提前备好零部件。