全球内存短缺：报告称 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本较台积电 N2 溢价 54%

📋总体概括

韩国半导体分析机构Kernel Insight发布数据显示，采用1b工艺节点（sub-10nm级）制造的DRAM晶圆每平方毫米成本达0.654美元，而台积电2nm先进逻辑工艺N2晶圆每平方毫米仅0.424美元，DRAM反而溢价54%，颠覆了「逻辑工艺越先进越贵」的直觉。1b DRAM主要用于DDR5内存模组，覆盖台式机、笔记本、服务器内存及HBM3E堆叠基座颗粒。在AI需求拉动下全球内存短缺持续，存储晶圆成本反超最先进逻辑晶圆，意味着DDR5内存与服务器内存价格短期内难以下降，产业链利润分配正向存储厂商倾斜。