消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构

📋总体概括

据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子调整先进DRAM路线图，首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构。三星原计划在D0a工艺导入4F² VCT垂直通道晶体管方案，如今混合键合的B1b节点被扶正为新的D0a，VCT方案调整为D0a-V。新D0a节点将在不同晶圆上分别制造存储阵列与外围电路，再通过W2W晶圆对晶圆混合键合结合，可分别优化两部分性能，该工艺已在3D NAND上广泛量产验证，商业化门槛相对更低。