供应链🔥8.0
中国长鑫存储达成12纳米级DRAM里程碑——第五代DRAM技术采用四重图形化，Die容量提升50%
原标题: 中国长鑫存储达成12纳米级DRAM里程碑——第五代DRAM技术采用四重图形化，Die容量提升50%
📋总体概括
中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）采用第五代DRAM工艺技术并开始量产，工艺节点达到12纳米级别。该代技术采用四重图形化（quadruple-patterning）方案，使单颗晶圆 Die 容量提升约50%。这一进展意味着国产DRAM在先进制程上进一步缩小与三星、SK海力士、美光等国际大厂的差距，在设备受限背景下依靠多重图形化路线突破制程瓶颈，对国内存储供应链自主化具有标志性意义。
⚡关键信息
- ▸CXMT第五代DRAM工艺进入量产，节点达到12纳米级别
- ▸新工艺采用四重图形化技术提升制程精度
- ▸第五代工艺使单颗Die容量较上代提升约50%
- ▸长鑫存储为中国DRAM龙头，持续追赶国际三大原厂
- ▸多重图形化是在设备限制下推进先进制程的现实路径
🔥犀利点评
12纳米级DRAM听着不惊艳，但要知道DRAM制程命名早就是营销游戏，三星、海力士的1z、1α节点实际也在14-15纳米附近徘徊。CXMT真正值得注意的不是数字，而是四重图形化这个选择——在EUV拿不到的情况下，用DUV硬堆多重曝光是最务实也最昂贵的路线，成本和良率才是真考验。Die容量提升50%若属实，说明其单位成本竞争力在实质改善。别急着吹「弯道超车」，也别急着泼冷水，这条路线走得通与否，看接下来两个季度的良率和出货数据。
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