供应链🔥8.0
中国绕开EUV造出可工作的3nm环栅晶体管——堆叠纳米片瞄准3nm，但完整节点仍遥遥无期
原标题: 中国绕开EUV造出可工作的3nm环栅晶体管——堆叠纳米片瞄准3nm，但完整节点仍遥遥无期
📋总体概括
中科院微电子所(IMECAS)展示了不依赖EUV甚至规避DUV光刻工具的3nm级环绕栅极(GAA)晶体管可行性验证，采用多层堆叠纳米片结构实现等效3nm节点。但验证性成果与量产相距甚远，业界判断中国距离实用的3nm级工艺节点仍有数年之遥，芯片制造设备瓶颈依旧存在。
⚡关键信息
- ▸IMECAS演示了不使用EUV、且据称避开DUV工具构建的GAA晶体管
- ▸采用堆叠纳米片结构，目标瞄准3nm级等效工艺节点
- ▸该成果仅为器件级可行性验证，尚未形成完整工艺节点
- ▸业界评估中国距离实际可用的3nm级节点仍需数年时间
🔥犀利点评
这本质上是一篇实验室级器件论文被包装成了工艺突破。能用多重曝光和非EUV手段堆出3nm级纳米片晶体管，说明中国研发人员能力没问题，但芯片制造拼的不是单点器件演示，而是良率、成本和产能。绕开DUV做3nm，成本和良率大概率惨不忍睹。承认技术路线探索有价值，但把它读成突破封锁就是自欺欺人。
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