供应链🔥8.0
国产芯片验证BSPD背部供电设计：无需EUV也能用上18A同款技术
📋总体概括
在EUV光刻机短期内无法量产的背景下，国产芯片正在验证BSPD背部供电网络技术作为突围路线之一。BSPD不改变晶体管结构，而是将供电电路移到晶圆背面，释放正面面积并缩短供电路径，可带来10-30%的PPA改善。Intel已在量产的18A工艺率先落地该技术（PowerVia），实现密度提升10%、压降降低30%；台积电原计划在N2节点量产同类技术。背部供电已成为先进制程的关键方向，无需EUV也可部分受益。
⚡关键信息
- ▸BSPD与GAA方向不同：GAA改晶体管结构，BSPD改电路布局，将供电电路布置到晶圆背面
- ▸BSPD可缩短供电路径、缩小面积、降低压降、提高开关频率，对PPA改善达10-30%
- ▸Intel在量产的18A工艺中率先商用该技术，名为PowerVia，密度提升10%、压降降低30%
- ▸台积电原计划在2nm节点的N2工艺量产BSPD技术，其名称为SRR（Super Power Rail）
- ▸在EUV受限情况下，BSPD与GAA成为国产芯片重点验证的多条技术路线之一
🔥犀利点评
背部供电是比GAA更容易被忽视但含金量不低的赛道，Intel敢在18A先量产PowerVia说明工程可行性已被验证。国产芯片在EUV被卡死的情况下押注BSPD，本质是用架构创新对冲设备短板——思路务实，但背部供电涉及晶圆减薄、键合等复杂工艺，绕开光刻却绕不开制造精度，别把路线图当胜利宣言。
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