消息人士：长鑫准备进入NAND闪存市场

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据路透社报道，中国DRAM厂商长鑫存储正筹备进入NAND闪存市场，计划在北京新工厂建立NAND研发生产线，并设立含NAND开发项目的研究院。长鑫已与客户展开讨论，其中包括一家拟采购其NAND芯片用于AI系统和超级计算机存储产品的新创公司。目前投产时间和是否转向大规模商业化制造尚不明确。当前全球NAND市场由三星、SK海力士、美光主导，三星以29.3%份额居首，长鑫入局标志着国产存储从DRAM向NAND扩展。