DUV光刻机也能造3nm芯片！中科院GAA晶体管重大突破：绕开EUV光刻机

📋总体概括

中国科学院公布新型全环绕栅极（GAA）晶体管架构，在DUV光刻机上实现开关比超过50万倍的电气性能，理论上可解锁3nm等效制程性能。GAA结构四面包裹电流通道，漏电控制远优于FinFET。该架构通过放宽晶体管间距维持性能，绕开了EUV光刻机限制，为中国芯片产业验证了一条从DUV向先进制程逼近的技术路径。但突破目前仅解决前道（FEOL）环节，中道金属互连和后道布线仍未受益，距量产仍有距离。