Hot Chips 2026：美光警告HBM晶圆面积损耗随每代扩大——AI内存比DDR5多耗3倍硅片，公司称随价格上涨内存墙「正变得更糟」

📋总体概括

美光院士Raghu Sreeramaneni在Hot Chips 2026上警告，HBM相对DDR5的硅片面积损耗正随每一代产品持续扩大：AI内存消耗的晶圆面积已是DDR5的3倍。他同时指出，随HBM价格上涨，「内存墙」问题正不断恶化。这一表态揭示了HBM以堆叠和接口面积换取带宽的物理代价，也解释了为何AI内存成本高企、供给紧张，对AI算力平台的设计与成本结构具有直接指导意义。