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中国存储全面追击！韩国承认：DRAM差2年、NAND只差1年

驱动之家·2026/9/16 03:27:00🔗 原文

📋总体概括

快科技9月16日消息，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年，此前这一差距长期维持在5年左右。 NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。 DRAM方面，三星和SK海力士2023

⚡关键信息

▸快科技9月16日消息，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后
▸NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升
▸DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产L

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