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SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术：打造下一代HBM

快科技·2026/8/24 08:29:00🔗 原文

📋总体概括

快科技8月24日消息，据Wccftech报道， SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。每个HBM模块配备1024

⚡关键信息

▸快科技8月24日消息，据Wccftech报道， SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入E
▸当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。HBM与计算模块（XPU
▸每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。而下一代HBM4将首次将I/

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