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“钼”成300层+NAND必选项 机构:沉积设备迎10亿美元增量市场
📋总体概括
SemiAnalysis报告指出,3D NAND堆叠层数突破300层后,钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充上触及物理极限,钼成为必选替代材料。三星已量产,美光跟进,SK海力士计划2026年底推375层钼产品。钼占NAND产能比例将从2025年中个位数增至2027年约30%,钼沉积设备市场明年新增超10亿美元,2030年达约20亿美元/年。
⚡关键信息
- ▸NAND超300层后钨触及物理极限,钼成强制替代材料
- ▸钼占NAND产能将从2025年中个位数升至2027年约30%
- ▸钼沉积设备2027年销售超10亿美元,2030年达约20亿美元/年
- ▸Lam Research最先受益,TEL紧随其后,北方华创受益于后续DRAM和逻辑芯片扩散
🔥犀利点评
材料迭代即设备商的印钞机,国产北方华创能否分羹才是看点。
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