SK海力士公布最新HBM进展 称竞争焦点从内存性能转向封装技术

📋总体概括

SK海力士副总裁Lee Jae-sik在Hot Chips 2026会议上表示，HBM竞争焦点正从内存性能转向封装技术。SK海力士现采用MR+MUF封装，并通过翘曲控制等新技术提升HBM性能，同时开发混合键合技术，目标实现20层以上堆叠，凸点间距缩小至18微米以下。他强调AI时代HBM需与GPU、代工、封装厂商联合优化开发。