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三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上
📋总体概括
三星在Hot Chips大会披露HBM三阶段演进路线图，终极为zHBM架构：将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片上，取消2.5D中介层。官方宣称相较HBM4E可实现70%功耗降低、230%带宽提升，每模组节省100W，并为GPU释放8.3%功率空间，瞄准AI算力存储瓶颈。
⚡关键信息
- ▸三星公布HBM三阶段路线图，终极形态为zHBM，DRAM直接垂直堆叠在计算芯片上并取消2.5D中介层
- ▸宣称zHBM相较HBM4E功耗降70%、DRAM带宽提升230%，每模组省100W并为GPU释放8.3%功率
- ▸HBM由C-die（可堆叠16层DRAM）与B-die（负责控制并通过PHY与GPU通信）构成，TSV互联是关键
- ▸路线图直指AI训练与推理中最关键的存储带宽与功耗瓶颈
🔥犀利点评
方向激进，但从PPT到量产，散热与良率才是真正的关卡。
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