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科研团队实现埃米级原子滑移，撬动千万倍电阻变化
📋总体概括
中科院半导体所团队通过二维范德华异质结界面工程，攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题，仅靠0.1纳米尺度的原子层滑移即可实现千万倍电阻变化。成果9月11日发表于《科学》。该器件若完善大规模阵列与配套电路，有望以更低功耗实现数据存储与运算，应用于手机、电脑终端，为缓解算力与功耗矛盾、推动存算一体架构落地提供新方案。
⚡关键信息
- ▸中科院半导体所团队实现埃米级（0.1纳米）原子层滑移，撬动千万倍电阻变化
- ▸通过二维范德华异质结界面工程，解决滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题
- ▸研究成果于9月11日发表在国际学术期刊《科学》上
- ▸器件有望用于手机、电脑等终端，支撑更快速度、更低功耗的存储与运算
- ▸为缓解算力提升与功耗受限的矛盾、推动存算一体架构提供技术方案
🔥犀利点评
千万倍开关比听起来炸裂，但实验室单器件与量产之间隔着千山万水——大规模阵列一致性、配套电路、成本，每一关都是硬仗。滑移铁电路线确实踩中了后摩尔时代低功耗存储的风口，能上《科学》说明硬实力，不过「有望应用于手机电脑」这话，研究员们说了几十年了。先看国内团队敢不敢流片验证，再说颠覆也不迟。
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