闪存材料大变革！SemiAnalysis：300层以上NAND必须由钨转钼

📋总体概括

SemiAnalysis指出，3D NAND堆叠层数突破约300层后，钨字线面临电阻过高、氟基工艺漏电及深孔填充失效等瓶颈，必须改用钼。钼具备更低电阻、无需氟基工艺、高深宽比填充更佳三大优势。当前层数布局：铠侠/闪迪218层，美光276层，三星286层，SK海力士以321层领先。