SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

📋总体概括

SK 海力士宣布目标在 2028 年将 High NA EUV 光刻工艺用于 DRAM 大规模生产。此前 ASML 已联合台积电、三星、英特尔推动 High NA EUV 生态向 12 英寸掩膜切换，SK 海力士正评估是否加入该联盟。同日三星也确认 2028 年将 High NA EUV 用于先进 DRAM 量产，美光则计划为 1δ（第七代 10nm 级）DRAM 工艺导入新一代 EUV 设备。三大存储巨头齐押注 High NA EUV，标志着该技术从逻辑芯片向存储领域扩散，2028 年或成存储工艺竞争的分水岭。