AOS boosts power density with 600-V MOSFETs

📋总体概括

美国万代半导体（AOS）推出两款600V MOSFET新品，采用顶面散热封装，通过电气路径与热路径的协同优化设计提升功率密度。传统MOSFET多通过底部焊盘散热，顶面冷却封装能让散热器直接贴装于芯片上方，缩短热阻路径，有助于简化PCB布局并缩小电源系统体积，面向高功率密度电源应用。