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TSMC to start using High-NA EUV lithography in 2030 — A10 or A11 technology prime candidates for use
📋总体概括
台积电正式披露将于2030年导入High-NA EUV(高数值孔径极紫外)光刻技术，用于先进制程节点，A10或A11技术成为该技术的首选应用对象；并计划在2033年启用全新扫描机搭配6×12英寸大尺寸光罩。此举意味着台积电在2nm之后的路线图中正式锁定了下一代光刻方案，以延续摩尔定律、支撑未来AI芯片对晶体管密度和功耗的极致需求，同时也反映出与ASMO/ASML在下一代设备上的深度绑定。
⚡关键信息
- ▸台积电披露2030年将正式导入High-NA EUV光刻技术，用于先进制程量产
- ▸A10或A11技术是High-NA EUV落地的首选候选节点
- ▸2033年计划采用6×12英寸大光罩搭配全新扫描机，突破传统6英寸限制
- ▸大光罩方案可扩大单次曝光面积，有望降低先进制程的芯片成本与对准复杂度
🔥犀利点评
台积电把High-NA EUV推迟到2030年，本质上是一次精明的成本博弈：英特尔抢首发却消化不良，台积电乐得让对手替全行业趟雷，用成熟NA EUV多榨两代工艺红利。但2033年押注6×12英寸大光罩才是真正的豪赌——那是设备、材料、良率的全链条重构。赌赢了继续独霸代工王座，赌输了，三星和Rapidus的时代缝隙就来了。
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