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Intel、ASML宣布量产100万片High NA EUV晶圆：还要破除最大死穴
📋总体概括
Intel与ASML联合宣布High NA EUV光刻机已量产100万片晶圆，占ASML全球135万片中的绝大部分，主要集中在Intel 18A工艺上，比原定14A工艺导入计划提前约2年。目前全球共4家客户投入10台High NA EUV设备，另有3台在安装中，台积电、三星、SK海力士仍处测试阶段。双方还宣布合作开发6x12英寸大尺寸光罩，计划2031年试产、2033年量产，以解决High NA EUV视场减半导致芯片面积上限仅约429mm2、无法承载大型AI芯片的死穴。
⚡关键信息
- ▸Intel与ASML宣布High NA EUV已量产100万片晶圆，主要来自Intel 18A工艺，占ASML全球135万片的大部分
- ▸High NA EUV导入比原定14A工艺计划提前2年，进度超出预期
- ▸全球仅4家客户投入10台High NA EUV光刻机，另有3台在出货安装中，台积电三星等尚未大规模量产
- ▸High NA EUV视场减半使芯片面积上限降至约429mm2，远低于现有EUV约858mm2的理论极限，难以制造大型AI芯片
- ▸双方合作开发6x12英寸大光罩，计划2031年试产、2033年量产，瞄准破除面积限制
🔥犀利点评
100万片听起来风光，但细看就知道是Intel一家撑起来的独角戏——台积电和三星至今只敢小规模试水，说明High NA EUV离产业主流还远。Intel提前两年抢跑18A，与其说是技术自信，不如说是背水一战：制程落后太久，只能靠赌新光刻重建话语权。而429mm2的面积死穴一天不除，High NA就做不了AI大芯片，这恰恰是当下最赚钱的市场。2033年才量产的大光罩，大概率赶不上这场AI盛宴的主菜。
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