三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，计划在2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻技术用于DRAM大规模生产，这将是高NA EUV在存储芯片领域的首批量产应用之一。同时三星将加入12英寸光罩技术行业合作计划，与伙伴共同开发相关技术与配套基础设施。三星称12英寸光罩可提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少光罩拼接限制，而高NA EUV有望延长DRAM制程微缩路线、简化工艺并提升生产效率，为存储竞争格局添变数。