三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产

📋总体概括

ASML在SPIE大会前夕宣布与三星电子、台积电等先进制程企业合作，推动High NA EUV光刻系统从6英寸掩膜过渡到12英寸掩膜，以提升机台生产效率、降低成本并解决「半场」拼接问题。三星确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，台积电计划自2031年起在先进逻辑制程导入。各方还计划2031年前建成12英寸掩膜试点线，为2033年High NA EUV先进制程投产铺路，时间表首次被明确锁定。