阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级，计划2031年建立试产线

📋总体概括

阿斯麦与台积电宣布成立行业合作计划，将高数值孔径EUV光刻的光罩从6英寸升级到12英寸，目标是消除拼接限制、提高晶圆厂效率并降低芯片成本。双方计划2031年建立12英寸光罩试产线，2033年推动12英寸高NA EUV系统进入先进制程量产。台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。这一布局把光刻产业链的关键环节纳入统一升级节奏，为下下一代先进制程铺路。