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三星4nm制程满负荷运转 过半产能已分配给HBM4
📋总体概括
三星电子4纳米制程已满负荷运转，其中50%至60%的产量用于生产HBM4基础裸片，平泽工厂4纳米月产能3万片中约1.5万片投入HBM4。AI数据中心需求爆发导致HBM供不应求，三星、SK海力士、美光三家竞相扩产HBM，连带挤压传统DRAM产能，两家韩企存储库存已不足10天供应量。三星还在考虑用2纳米制程生产HBM基础裸片，或专供英伟达，显示HBM已成为先进制程争夺的核心战场。
⚡关键信息
- ▸三星4纳米制程满负荷运转，50%至60%产量用于HBM4基础裸片，对应月产能约1.5万片晶圆
- ▸三星正考虑将2纳米制程用于HBM基础裸片，可能改造器兴生产线并专供英伟达
- ▸KB Securities报告指出三星与SK海力士存储库存不足10天供应量，明年可用供应明显不足
- ▸三家企业HBM月产能：三星与SK海力士均在15万至20万片之间，美光目标年底达10万片
- ▸技术路线分化：SK海力士基础裸片外包台积电并沿用1b工艺保良率，三星则自研4纳米裸片并直接采用1c工艺
🔥犀利点评
HBM吃掉一半4纳米产能，这本质上是AI把半导体产业的价值排序彻底重写了——存储厂第一次反过来挤占先进逻辑制程的地盘。三星押注自研基础裸片加1c工艺，是想在HBM4上对SK海力士完成弯道超车，但激进工艺意味着良率风险。库存不足10天这个信号更关键：真正的瓶颈不在需求端，而是产能扩张周期赶不上AI胃口，2026年存储涨价几乎是明牌。
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