备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺

📋总体概括

据韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm预计在2027年初超过1b nm成为其第一大制程。从2026年一季度到2027年一季度，1c nm在总DRAM产能中的占比将逐季从10%提升至35%，与1b nm约33%的占比形成交叉。SK海力士的HBM4仍用1b nm裸片，而HBM4E将升级到1c nm，提前扩产是为HBM市场代际切换做准备。业内预计2026年二季度末三星和美光第六代10nm级DRAM产能占比分别仅16%和19%，显示SK海力士在先进制程节奏上明显领先。