打破传统 SiC 电感天花板，比亚迪半导体 V-305B 模块实现系统电感＜10nH
📋总体概括
比亚迪半导体发布全新车规级1000V SiC功率模块V-305B，采用DC叠层端子与激光焊接工艺，模块寄生电感低至5.5nH，系统杂散电感压缩至10nH以内，较传统方案削减30%开关尖峰与损耗，输出电流超650Arms，为1000V高压平台提供大功率支撑。
⚡关键信息
- ▸V-305B为车规级1000V SiC功率模块，阻断电压大于1500V，预留充足电压裕量
- ▸模块寄生电感5.5nH，系统杂散电感＜10nH，较传统20nH方案开关尖峰和损耗均降30%
- ▸采用DC叠层端子、激光焊接与双面银烧结工艺，输出电流650Arms以上，功率密度提升15%
🔥犀利点评
垂直整合车企下场造芯，杂散电感卷到纳赫级，供应商们该紧张了。
IT之家 9 月 3 日消息，比亚迪半导体官方昨日发文，讲解了其全新一代车规级 1000V SiC 功率模块，型号为 V-305B。
据介绍，该模块采用 DC 叠层端子搭配激光焊接工艺，将整机系统杂散电感压缩至 10nH 以内，功率密度提升 15%。
比亚迪指出，随着 1000V 全域高压平台逐步实现规模化量产，传统 SiC 方案杂散电感偏高、功率密度受限等短板愈发凸显。V-305B 模块的推出直击这一痛点，其阻断电压大于 1500V，为 1000V 平台应用预留充足电压裕量；模块自身寄生电感低至 5.5nH，匹配外围拓扑后整机系统杂散电感可控制在 10nH 以内。
相比传统模块 20nH 以上的杂散电感水平，该方案可实现开关尖峰电压削减 30%、开关损耗下降 30%。在 1000V 工况下，模块输出电流达 650Arms 以上，可满足大功率电驱与快充需求。
在工艺层面，V-305B 采用 DC 正负极叠层引出设计，将功率回路面积压至最小；芯片到端子的功率连接以激光焊接替代传统键合线，接触阻抗更低、路径更短。
在可靠性方面，其芯片采用双面银烧结工艺，热阻更低；基板选用氮化硅 AMB（活性金属钎焊）材料，导热系数高、冷热冲击耐受强；散热底板采用椭圆分段结构，兼顾散热面积与流阻优化；外框与基板连接采用超声焊接，抗振能力强；灌封硅凝胶的玻璃化转变温度（Tg）达 200℃；内部驱动回路对称布局，保障并联芯片电流均衡。
该模块已推出 1200V/1040A、1500V/1400A、1500V/1040A 及 1500V/840A 等多款型号，统一尺寸为 154.5×128.5×32mm³，重量 780g。
IT之家注：杂散电感是指功率模块内部因寄生参数产生的非理想电感，过高的杂散电感会在开关过程中产生电压尖峰，增加开关损耗，是限制 SiC 器件高频高压优势发挥的关键因素之一。