报道：SK海力士拟深化与铠侠合作，考虑在日本建NAND芯片厂

SK集团正考虑在日本建设芯片工厂，并谋求与铠侠深化合作。SK集团会长崔泰源透露，双方可能在日本联合生产NAND闪存，并进一步推进供应链协调和联合研发。若合作落地，SK海力士与铠侠的NAND市场份额合计将超过三星电子，全球存储芯片竞争格局或迎来新的变化。

9月2日，据报道，崔泰源本周访问东京期间时表示，与铠侠联合生产是“选项之一”。他称，日本在风险管控和文化契合方面“极具吸引力”，SK集团已收到多个日本地方政府的招商提案，但尚未透露具体选址。

崔泰源还表示，如果SK海力士能够被纳入铠侠未来战略，“我们随时准备成为合作伙伴”，并以铠侠与闪迪现有的生产合作关系作为参考。双方潜在合作领域还包括供应链协调和联合研发。

目前，铠侠与闪迪在日本联合运营NAND工厂，但双方仍独立销售产品。崔泰源同时暗示，如果双方无法建立更深层次的合作关系，SK不排除退出对铠侠现有投资的可能性。与此同时，报道称SK集团也在探索收购日本半导体材料和设备企业，进一步扩大在当地半导体产业链的布局。

SK海力士与铠侠深化合作，NAND市场或迎“大洗牌”

SK海力士与铠侠既是NAND市场上的竞争对手，也是铠侠的重要间接投资方，这一双重身份使双方关系颇为微妙。

SK海力士此前通过贝恩资本牵头成立的特殊目的公司（SPC），参与收购东芝存储器业务。今年8月，该SPC以14.19%的持股比例成为铠侠最大股东；SK海力士持有可转换为SPC大部分投票权的证券，因此具备一定的潜在影响力。

不过，现行协议规定，未经铠侠同意，SK海力士在2028年前不得直接或间接持有铠侠15%或以上的投票权。这意味着，短期内SK海力士进一步提升对铠侠控制力仍受到限制。

双方若进一步深化合作，全球NAND市场的竞争格局或将发生明显变化。

据Counterpoint Research数据，2026年第二季度，三星电子以25%的市场份额位居NAND出货量第一，SK海力士以22%排名第二，铠侠以14%排名第三。若简单合并计算，SK海力士与铠侠的份额达到36%，明显高于三星。

HBM利润外溢，押注下一代存储

这一布局也与SK海力士近年来在HBM领域的快速增长有关。半导体工程教授Lee Jong-hwan认为，SK海力士可能正试图将HBM领先地位带来的利润和信心，转化为进一步争夺存储器市场的动力。

与此同时，SK海力士还在与美国闪迪合作开发高带宽闪存（HBF）的全球标准。这项新兴技术通过堆叠NAND芯片提升性能和容量，其架构与HBM存在一定相似之处。铠侠与闪迪长期保持合作关系，也可能为SK海力士参与HBF技术开发提供额外的战略协同。

Lee Jong-hwan指出，随着AI产业从模型训练逐步转向推理应用，对高容量NAND存储的需求有望进一步增长，并可能为HBF打开新的市场空间。相比三星横跨存储、代工和消费电子等多个业务领域，SK海力士能够将更多资源集中于存储芯片，这也可能成为其进一步挑战三星的重要优势。

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