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台积电BEOL内存杀到！0.017平方微米单元面积硬刚3D DRAM：官方否认背后暗藏玄机
📋总体概括
台积电在存储领域动作呈现两面性：官方否认应英伟达要求研发3D DRAM，宣称专注晶圆代工主业；但其BEOL后段内存技术已进入实验阶段，采用1T1C架构将存储单元嵌入后段互连层，用于解决逻辑芯片内嵌缓存容量与功耗难题。实验样品工作电压0.75V，数据保持时间超128毫秒，读写周期低于8纳秒，耐久性超100万亿次循环。同时A14节点SRAM单元面积缩小至0.017平方微米以下，较此前缩小约19%，打破八年停滞。BEOL内存与3D DRAM定位不同，并行推进。
⚡关键信息
- ▸台积电公开否认应英伟达要求研发3D DRAM，但BEOL内存技术已进入实验阶段，动作两面性明显
- ▸BEOL内存改用1T1C架构替代传统6晶体管SRAM单元，嵌入后段互连层不增加芯片面积
- ▸实验样品参数：工作电压0.75V，数据保持超128毫秒，读写周期低于8纳秒，耐久性突破100万亿次循环
- ▸A14节点SRAM单元面积缩小至0.017平方微米以下，缩小约19%，打破长达八年的停滞
- ▸BEOL内存解决缓存不够大问题，3D DRAM解决内存不够多问题，两者并行推进节奏不同
🔥犀利点评
嘴上说不做3D DRAM，手却把1T1C塞进了后段制程——这就是台积电式的战略模糊：不站队、不树敌，但技术储备一步不落。0.017平方微米打破八年SRAM停滞才是真正的杀手锏，缓存墙才是AI时代最痛的瓶颈，比堆DRAM更卡脖子。官方否认只是话术，代工巨头不会把存储这座金矿拱手让人。
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