美光计划在下一代DRAM中使用晶圆键合与High-NA EUV

📋总体概括

美光公布了下一代DRAM技术路线图：明确拒绝4F2单元结构，未来几年将先采用混合键合与High-NA EUV光刻技术推进DRAM微缩，之后再转向3D DRAM。这意味着美光选择沿2D微缩路线深挖，借助先进光刻和键合封装延长DRAM平面微缩寿命，而非直接跳入垂直堆叠。这一决策直接影响DRAM行业竞争格局，与三星、SK海力士的技术路线选择形成对照，也决定了2020年代末DRAM的成本与容量演进节奏。