英特尔押注3D芯片 高层直言先进晶圆难增十倍

📋总体概括

英特尔技术长Pushkar Ranade与高管Chris Auth在访谈中判断：受限于EUV光刻、蚀刻、薄膜沉积等上游设备供应能力，全球先进制程晶圆产量扩大10倍不现实，提升至约2倍更可行。访谈还展望未来20年制造技术，涵盖14A制程、High-NA EUV、背面供电、CFET及混合键合。14A已研发超3年，涉及约2000道制造步骤；High-NA EUV将数值孔径从0.33提升至0.55，单次曝光分辨能力约提升1.7倍。吸取10纳米教训后，英特尔以阶段性审查控制单节点创新数量，追求量产可预测性。