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英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题
📋总体概括
英特尔制造高管克里斯·奥思称，凭借背面供电技术，英特尔在Intel 14A（1.4nm）节点上可直接采用High NA EUV光刻机，而台积电因未部署背面供电、间距要求苛刻，仍需依赖EUV双重曝光。CTO普什卡尔·拉纳德则表示，追赶台积电是规模问题而非技术问题。High NA EUV可实现16nm至8nm间距，单次曝光节省成本，英特尔称Intel 14A的PDK已开放给客户洽谈。
⚡关键信息
- ▸英特尔副总裁奥思称背面供电减轻正面间距压力，可直接用High NA EUV光刻
- ▸台积电因无背面供电、间距更紧，须使用EUV双重曝光而非High NA
- ▸High NA EUV可实现16nm至8nm间距，单次曝光有助于节省成本
- ▸Intel 14A（1.4nm）PDK现已面向客户可选，此前报道曾指向Intel 18A节点使用
- ▸英特尔CTO拉纳德称追赶台积电是规模问题而非技术问题
🔥犀利点评
又是熟悉的英特尔式叙事：把技术路线选择包装成战略优势。背面供电确实能让High NA的价值最大化，但别忘了台积电不急着上High NA，恰恰是因为双重曝光用得更顺手、良率更可控——省一次曝光的钱和赌新设备的良率，孰轻孰重还不一定。而且CTO那句『追赶是规模问题而非技术问题』听着像自我安慰：造出来和卖出量是两回事，14A的客户名单才是真正的考卷。
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