Intel布局20年后的半导体芯片技术：CFET、3D堆叠、混合键合等都要上

📋总体概括

Intel在18A工艺追平台积电N2、14A指标差距缩至5%以内的背景下，开始布局未来10到20年的半导体技术路线。Intel CTO及制程负责人在访谈中透露面向2045年的技术方向：晶体管将从GAA转向垂直堆叠P、N管的CFET结构，互连材料拟用钌部分替代铜线应对电阻问题，封装端则押注Hybrid bonding混合键合以实现更细间距和更高带宽。这标志着Intel从追赶者重新转向技术引领者的长期战略姿态。