押注AI存储！三星M2800基带转2nm 过半4nm产能倾斜HBM4

📋总体概括

三星电子决定将原计划2027年完成开发的外挂5G基带芯片M2800从4nm升级至2nm制造，该芯片将与Exynos 2800搭配用于2028年的Galaxy S28系列。此举可释放4nm产线产能，转产HBM4所需逻辑基底芯片。三星HBM4已于2026年2月率先量产，采用4nm基底与1c nm DRAM，单引脚速率11.7-13Gbps，良率从不足60%提升至约80%。瑞银模型预计三星HBM份额将从2025年20%升至2027年40%，首次超越SK海力士的39%登顶全球第一，显示其全力押注AI存储的战略转向。