DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV

📋总体概括

在EUV受限背景下，中国芯片厂商将DUV多重曝光技术压榨到极限，最新拆解数据显示其第三代7nm级N+3工艺纯靠DUV实现量产：最小金属间距32.5nm，比英特尔18A在Panther Lake上的36nm还紧凑约10%；晶体管密度约113.4 Mtr/mm²，超过台积电N6的107.7。核心技术是自对准四重曝光（SAQP）与设计工艺协同优化（DTCO）深度结合，用四次图案化替代EUV一次曝光。成本上，业内估算193nm浸没式DUV三次曝光约等于EUV一次曝光的成本。