美光下一代3D NAND将超400层、位密度翻倍，提供极致性能

📋总体概括

美光公布下一代G11 3D NAND闪存规划：层数突破400层，位密度达到42 Gb/mm²，较现有产品接近翻倍，同时接口速度提升至5,400 MT/s。这意味着单颗die容量与SSD读写性能同步跃升，可为高容量消费级与企业级固态硬盘提供支撑，在三星、SK海力士等对手竞逐200层以上堆叠的背景下，美光试图借G11在密度和带宽两条线上同时拉开身位，巩固NAND市场第二梯队的领先位置。